Архив категории ‘Знания’

Применение бескорпусных БИС на полиимидных носителях позволяет повысить надежность МЭА за счет

Бескорпусные БИС изготавливают с гибкими проволочными выводами, на полиимидном носителе и с объемными выводами. На коммутационной плате БИС на полиимидном носителе занимают площадь, в 4 — 10 и более раз меньшую по сравнению с микросхема­ми в корпусах. Для монтажа на плату выводы БИС в этом случае имеют вид квадратных контактных площадок, расположенных в пе­риферийных областях кристалла.

Применение бескорпусных БИС на полиимидных носителях позволяет повысить надежность МЭА за счет: уменьшения количе­ства сварных и паянных соединений в расчете на одну контактную площадку БИС (для корпусных — три — четыре соединения, для бес­корпусных — два — три), улучшения условий отвода теплоты при ус­тановке кристалла непосредственно на теплоотводящий пьедестал, снижения механических напряжений в кристалле БИС и небольшой массы.

Бескорпусные БИС с объемными выводами представляют со­бой кристаллы БИС, на контактных площадках которых образова­ны шариковые (или столбиковые) выводы. Объемные выводы (ОВ) изготавливают из золота, облуженной или позолоченной меди и сплава олово — серебро. Такие БИС занимают на коммутацион­ной плате площадь, в 16-40 раз меньшую, чем корпусные БИС, и в 4-10 раз меньшую, чем бескорпусные БИС на полиимидном носи­теле. Сопротивление их выводов в 20 — 100 раз, паразитная индук­тивность в 60 — 200 раз и межвыводная емкость в 9 — 50 раз ниже, чем у корпусных БИС.

Объемные выводы на контактных площадках кристалла БИС могут быть сформированы двумя различными способами. В первом способе, называемом «мокрым», используют процессы вакуумного осаждения барьерного слоя (хром — медь, хром — никель, ванадий-медь), на котором гальванически выращивают припойные шарики. Барьерный слой создают из металлов, имеющих хорошую адгезию к алюминию кристалла БИС и не образующих с ним выпрямляющих контактов, т.е. не влияющих на электрические параметры БИС. К недостаткам «мокрого» способа относят трудность нанесения одно­родного покрытия необходимой толщины, сложность контроля за составом припоя и выдерживанием размеров ОВ из-за гальваниче­ского разрастания, а также ухудшение параметров БИС, особенно на МДП-структурах.

Дисциплина «Территориальная организация населения

Дисциплина «Территориальная организация населения» является обязательной дисциплиной для студентов, обучающихся по специальности «Государственное и муниципальное управление».

Актуальность изучения определяется тем, что проблемы территориальной организации населения стоят в России очень остро и их необходимо решать с помощью специальной государственной политики. Дисциплина предусматривает изучение основ тер­риториальной организации населения как научной дисцип­лины и учебного предмета, закономерностей размещения и расселения насе­ления, теорий урбанизации, сельского расселения и терри­ториальной подвижности населения. Рассматривается также ис­тория и современное состояние расселения населения в мире и России, особенности городского и сельского расселения, организация производственной и непроизводственной сферы как условия развития расселения. При этом главные задачи дисциплины — научить студентов анализировать территориальную организацию населения, изучить тенден­ции и факторы изменения расселения и миграционной под­вижности населения, освоить основные приемы прогнози­рования изменений в территориальной организации населе­ния, уяснить особенности территориальной организации населения в мире, России и ее частях.

Указания содержат не только содержат тематический план занятий, но и задание на контрольную работу, список рекомендуемой литерату­ры. Таким образом, указания включают в себя все необходимое для изучения дисциплины «Территориальная органи­зация населения».

Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем основан на свойствах p-n пе­рехода, который можно создать внутри полупроводника, если ввести в одну его область донорную примесь, а в другую — акцептор­ную. Электронно-дырочный переход способен выполнять в ИМС различные функции в зависимости от приложенного напряжения, профиля распределения примесей и геометрии перехода. В частности, обратно-смещенный p-n переход в ИМС используется как элемент изоляции отдельных областей, в качестве «охранных» диодов для защиты диэлектрика под затвором MДП — транзистора или диода Шотки от электрического пробоя, как элемент биполярного транзистора и т.д.

В связи с этим предельно допустимые напряжения на обратно-смещенном p-n переходе определяют возможности работы диодов и транзисторов, а также конкретных ИМС и являются важнейшими рабочими параметрами. При некотором обратном напряжении на p-n переходе наступает так называемое явление пробоя, которое заключается в неограниченном возрастании тока.

Рассмотрим механизмы пробоя в кремниевых p-n переходах, для которых характерны три вида пробоя: лавинный, туннельный и теп­ловой. Первые два вида пробоя связаны с увеличением напряженности электрического поля, а третий — с увеличением рассеиваемой мощности и соответственно температуры.

Пробой p-n переходов

1. Тепловой пробой. При приложении обратного напряжения Uобр к p-n переходу через него протекает обратный ток Iобр, и в диоде выделяется мощность Р=IобрUобр. В области p-n перехода происходит разогрев материала, в основном в области пространственного заряда (ОПЗ), где разделяемые электрическим полем запирающего слоя носители заряда отдают избыточную энергию узлам кристаллической решетки полупроводника.

Перегрев p-n перехода Т = Tj - T0 (где Tj — температура p-n перехода; T0 — температура корпуса прибора) пропорционален мощности P, рассеиваемой диодом

Технология осаждения a-SiС:H методом низкочастотного плазмохимического осаждения

Пленки a-SiС:H были получены методом низкочастотного плазмохимического осаждения (НЧ ПХО) с частотой возбуждения разряда 55 кГц. Выбор данного метода не случаен, поскольку он, во-первых, позволяет на порядок повысить скорость роста пленок приборного качества за счёт смещения области плазмы близко к растущей поверхности. Во-вторых, формирование плёнок происходит в условиях ионной бомбардировки поверхности, высоком потоке радикалов и при более низких температурах подложки. Указанные особенности метода НЧ ПХО дают дополнительные возможности в исследовании закономерностей формирования микроструктуры сплава a-SiС:H, делая этот метод перспективным как с точки зрения проведения фундаментальных исследований, так и для чисто практического промышленного применения [ 11 ].

Установка «Mini Goupyl», в которой были получены исследуемые образцы, представляет собой однотрубный кварцевый реактор диаметром 23 см и длиной 80 см (рис. 3.5) [ 12 ].

.

Четыре графитовых электрода в форме прямоугольных пластин размером 18х36 см2 помещены параллельно оси газового потока. Электроды соединены между собой попарно через один и образуют три межэлектродных промежутка так, что каждый электрод в течение периода колебания является попеременно то анодом, то катодом. Подача газов осуществляется через отверстие в лицевой части реактора. Откачка продуктов реакции производится через отверстие диаметром 40 мм в задней части реактора с помощью двухступенчатого форвакуумного масляного насоса. Перед насосом на выходе из реактора помещен дросселирующий затвор, поддерживающий давление в рабочей камере.

Система управления технологическим процессом позволяет устанавливать основные параметры осаждения в широком диапазоне значений:

- мощность разряда 50 — 600 Вт (удельная мощность 0,01-0,1 Вт/см2);

- давление в камере 10 — 200 Па;

- температура подложек 25 – 400 oC;

- расход газа 50 — 200 нсм3/мин.

Измерение температуры подложек осуществляется с помощью шести хромель-алюмелевых термопар, расположенных снаружи и изнутри реактора по его длине. Однородность распределения и поддержания температуры по длине реактора обеспечивается автоматически. Погрешность установки температуры составляла 50.