Технология осаждения a-SiС:H методом низкочастотного плазмохимического осаждения

Пленки a-SiС:H были получены методом низкочастотного плазмохимического осаждения (НЧ ПХО) с частотой возбуждения разряда 55 кГц. Выбор данного метода не случаен, поскольку он, во-первых, позволяет на порядок повысить скорость роста пленок приборного качества за счёт смещения области плазмы близко к растущей поверхности. Во-вторых, формирование плёнок происходит в условиях ионной бомбардировки поверхности, высоком потоке радикалов и при более низких температурах подложки. Указанные особенности метода НЧ ПХО дают дополнительные возможности в исследовании закономерностей формирования микроструктуры сплава a-SiС:H, делая этот метод перспективным как с точки зрения проведения фундаментальных исследований, так и для чисто практического промышленного применения [ 11 ].

Установка «Mini Goupyl», в которой были получены исследуемые образцы, представляет собой однотрубный кварцевый реактор диаметром 23 см и длиной 80 см (рис. 3.5) [ 12 ].

.

Четыре графитовых электрода в форме прямоугольных пластин размером 18х36 см2 помещены параллельно оси газового потока. Электроды соединены между собой попарно через один и образуют три межэлектродных промежутка так, что каждый электрод в течение периода колебания является попеременно то анодом, то катодом. Подача газов осуществляется через отверстие в лицевой части реактора. Откачка продуктов реакции производится через отверстие диаметром 40 мм в задней части реактора с помощью двухступенчатого форвакуумного масляного насоса. Перед насосом на выходе из реактора помещен дросселирующий затвор, поддерживающий давление в рабочей камере.

Система управления технологическим процессом позволяет устанавливать основные параметры осаждения в широком диапазоне значений:

- мощность разряда 50 — 600 Вт (удельная мощность 0,01-0,1 Вт/см2);

- давление в камере 10 — 200 Па;

- температура подложек 25 – 400 oC;

- расход газа 50 — 200 нсм3/мин.

Измерение температуры подложек осуществляется с помощью шести хромель-алюмелевых термопар, расположенных снаружи и изнутри реактора по его длине. Однородность распределения и поддержания температуры по длине реактора обеспечивается автоматически. Погрешность установки температуры составляла 50.

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply