Столкновения положительных ионов с поверхностью растущей пленки

Коэффициент потерь b является величиной, характеризующей процесс потери частицей ее кинетической энергии при взаимодействии с поверхностью через фононное возбуждение, электронно-дырочный обмен и др. [ 7 ]. Таким образом, величина b зависит от природы адсорбирующейся частицы и от состояния поверхности, на которой происходит адсорбция, но не зависит от энергетических характеристик поверхностного слоя (температуры подложки).

Столкновения положительных ионов с поверхностью растущей пленки приводят к выделению дополнительной энергии в поверхностном слое, в результате чего возрастает энергия поверхностных частиц. Увеличение поверхностной подвижности частиц под воздействием ионов с энергией 20¸100 эВ ведет к уменьшению микроструктурной неоднородности и плотности дефектов [ 6 ]. При этом водород встраивается преимущественно в Si-H связи и его содержание в пленке увеличивается.

В работе [ 7 ] было показано, что основной «строительной частицей» при формировании a-Si:H высокого качества является радикал SiH3. На рис. 3.4 показаны возможные реакции радикала SiH3 на поверхности a-Si:H. Суммарный эффект этих реакций [ 8 ] можно представить в виде формулы

g = b — s .

В данной модели предполагается, что поверхность пленки полностью покрыта водородом в формах ºSi-H, =Si-H2, -Si-H3 групп. Радикал SiH3 сорбируется на этих группах, формируя связь Si-Si-H.

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply