Реакции на поверхности

Поскольку поверхностные реакции при осаждении плёнок a-SiC:H недостаточно хорошо изучены, рассмотрим эту стадию формирования плёнки на примере a-Si:H. Поверхностный слой растущей пленки включает в себя следующие зоны [ 6 ] (см. рис. 3.2):

- поверхность, покрытую водородом, на которой происходит адсорбция радикалов;

- зона роста, где происходит термически активированное (Еa » 0,1 эВ) формирование связей Si-Si и десорбция водорода;

- зона стабилизации кремниевой сетки, где происходят релаксационные процессы.

Рис. 3.2. Поверхностный слой растущей пленки a-Si:H:

1 — поверхность; 2 — зона роста;3 — зона стабилизации.

Приближающийся к поверхности роста радикал сорбируется на поверхности. После этого возможны следующие процессы: отражение (десорбция), прилипание (поверхностная реакция с образованием продуктов в твердой фазе) и образование стабильной молекулы (силана). Каждый из вышеназванных процессов имеет свою вероятность. Вероятности этих процессов определяют вероятность протекания поверхностной реакции, обозначаемой b (0£b£1). Параметр b также носит название коэффициента потерь, и может быть выражен через вероятности вышеназванных процессов [ 6 ]:

, (3.1)

где r — коэффициент отражения; s — коэффициент прилипания; g — коэффициент образования стабильной летучей молекулы.

На рис. 3.3 схематично изображены процессы при формировании плёнки.

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply