Кроме того, кислород может влиять на генерацию и рекомбинации энергетических и химически активных частиц следующим

Однако при дальнейшем увеличении Q время нахождения ХАЧ у поверхности обрабатываемого материала становится настолько малым, что большая часть ХАЧ удаляется из объема рабочей камеры откачными средствами, не вступив в реакцию с обрабатываемым материалом.

Температура подложки, подвергаемой плазменному травлению, тоже влияет на скорость травления материалов (рис.2.1. в).

Как видно из рисунка 2 г, важен выбор не только активного газа, но и добавок к нему, которые, не принимая непосредственного участия в травлении функционального слоя, могут значительно изменить коэффициент использования газа. Так, небольшие добавки кислорода сперва приводят к росту скорости травления, а при дальнейшем увеличении содержания кислорода vтр. уменьшается пропорционально его концентрации в SF6. Это объясняется тем, что добавка кислорода (до 20 — 40 % к общему объему) при травлении материалов в плазме фторуглеродных газов увеличивает выход свободных атомов фтора F и, соответственно, скорость травления. Снижение скорости травления при больших концентрациях кислорода в рабочих газах может быть связано не только с уменьшением концентрации атомов фтора в газовой фазе, но и с адсорбцией атомов кислорода на активных центрах поверхностей материалов. Небольшие добавки кислорода не оказывают заметного влияния на скорость травления SiО2, так как при травлении диоксида кремния выделяется количество кислорода, достаточное для увеличения выхода атомов фтора.

Кроме того, кислород может влиять на генерацию и рекомбинации энергетических и химически активных частиц следующим образом [1]:

1. Кислород препятствует гетерогенной рекомбинации F· с другими частицами, либо реагируя с ними, либо блокируя им доступ к наиболее благоприятным с точки зрения рекомбинации поверхностям. Например, кислород удаляет углеродные атомы, адсорбированные на поверхности материала, подвергаемого травлению, образуя при взаимодействии СО2 и СО. Тем самым атомы фтора не расходуются на реакцию с углеродом, а травят материал. Этим эффектом объясняется селективность травления двуокиси кремния относительно кремния в плазме рабочих газов с малым отношением F/С. С поверхности SiO2

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply