Применение поликристаллического кремния

Применение поликристаллического кремния в технологии изготовления ИС открывает путь к созданию многослойных или трехмерных структур. В таких структурах возможно формирование активных и пассивных элементов сразу в нескольких слоях.

Возможность получения поликристаллического кремния с электросопротивлением, отличающимся на несколько порядков, а также простота технологии привели к тому, что он используется при изготовлении интегральных схемах — с одной стороны, в качестве высоомного материала затворов, нагрузочных резисторов, а с другой — в качестве низкоомного материала межсоединений. В последнем случае поликремний используется в качестве первого уровня разводки многоуровневых СБИС. Достоинство разводки на основе поликремния – большая термостойкость по сравнению с металлами. Это позволяет использовать в дальнейшем многие высокотемпературные операции, необходимые при производстве СБИС.

На основе поликремниевых пленках изготавливают диоды Шоттки, характеристики которых близки к характеристикам диодов с p-n переходом. Сформировать поликремниевые биполярные транзисторы до настоящего времени не удалось, однако в биполярной технологии эмиттер может изготавливаться из поликремния. Достоинство поликремниевых эмиттеров в высоком коэффициенте инжекции.

Специфическое свойство высокоомного поликремния (>103 W×см) заключается в возможном необратимом понижении его удельного сопротивления на несколько порядков при пропускании импульса тока высокой плотности (~104 А/см2). Этот эффект используется в схемах ППЗУ.

Сильнолегированный поликремний применяется в качестве диффузионных источников примеси при создании мелких p-n переходов, для обеспечения невыпрямляющих контактов к монокристаллическому кремнию.

В структурах КСДИ (кремний с диэлектрической изоляцией) поликристаллический кремний играет роль несущей подложки для монокристаллических карманов.

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply