Для достижения поставленной цели курсового проекта необходимо поэтапно ре-шить следующие задачи:

Балашов А.Г., Козлов А.В., Красюков А.Ю., Поломошнов СА.

Методические указания по выполнению курсового проекта по курсу «Маршруты БИС» (Под ред. Т.Ю. Крупкиной). – М.: МИЭТ, 2010. – …… с.: ил.

Приведены примерная структура курсового проекта, описание основных этапов выполнения проекта, методики расчета параметров интегральных МОП-транзисторов, технологические маршруты создания КМОП интегральных схем. Даны рекомендации по приборно-технологическому моделированию с использованием программных средств TCAD SYNOPSYS при проектировании интегральных элементов и технологических маршрутов.

Предназначены для студентов, обучающихся по программам подготовки бакалавров по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» и по программам подготовки инженеров по специальностям 210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и 210108.65 «Микросистемная техника».

Балашов Александр Геннадьевич

Козлов Антон Викторович

Красюков Антон Юрьевич

Поломошнов Сергей Александрович

Методические указания по выполнению курсового проекта по курсу «Маршруты БИС»

Редактор Е.Г. Кузнецова. Технический редактор Л.Г. Лосякова. Корректор Л.Г. Лосякова. Верстка авторов.

Подписано в печать с оригинал-макета . .2010. Формат 60х84 1/16. Печать офсетная. Бумага офсетная. гарнитура Times New Roman. Усл. печ. л. . Уч.-изд. л. . Тираж 200 экз. Заказ .

Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ.

124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ.


1. Общие положения

Цель, задачи и структура курсового проекта

Цель курсового проекта – разработка и исследование технологического маршрута создания n- и p-канальных МОП-транзисторов в составе КМОП-структуры в соответствии с заданным вариантом конструктивных и электрофизических данных.

В курсовом проекте разрабатывается, оптимизируется и анализируется один из критических конструктивно-технологических узлов маршрута изготовления современных интегральных схем и элементов. Разрабатываемый маршрут основывается на базовых технологиях создания КМОП интегральных схем с учетом индивидуального задания, включающего конструктивные и схемотехнические параметры КМОП-транзисторов, а также тип изоляции.

Для достижения поставленной цели курсового проекта необходимо поэтапно решить следующие задачи:

1. Разработать предварительный проект полного технологического маршрута создания n- и p-канальных МОП-транзисторов в составе КМОП-структуры с учетом типа изоляции. Составить эскизную технологическую маршрутную карту (схему) создания КМОП-структуры.

2. Разработать масштабные эскизы n- и p-канальных транзисторов.

3. Провести предварительные аналитические расчеты влияния конструктивно-технологических параметров на пороговое напряжение n- и p-канальных МОП-транзисторов:

· с учетом типа примеси получить зависимость порогового напряжения от концентрации примеси на поверхности полупроводника Uпор (Nп);

· Для концентрации примеси, при которой расчетное значение Uпор соответствует исходным данным, провести расчеты и получить зависимость порогового напряжения от толщины подзатворного оксида Uпор (dок);

· на основе проведенных предварительных расчетов, а также исходных данных разработать эскизы распределений результирующей примеси в основных вертикальных сечениях транзисторов.

4. С использованием средств технологического моделирования в одномерном приближении определить режимы технологических операций маршрута для достижения параметров технического задания:

· получить зависимость параметров области кармана (концентрации на поверхности Nкарм , глубины залегания Xj карм) от дозы легирования и времени отжига кармана tотж;

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply