Маршрут изготовления КМОП ИС

Этот метод позволяет с высокой точностью изменять по­ложение края маски. С этой целью на поверхности пласти­ны кремния формируют маску в виде островка или полоски, например из нитрида кремния. Затем с помощью ионной имплантации создают первую легированную область в полу­проводнике. Далее на поверхность структуры конформно (с одинаковой толщиной на всех плоскостях) осаждают пленку, например, поликремния. Применяя РИТ, удаляют поликрем­ний со всех горизонтальных плоскостей. В результате лишь на боковых стенках нитридной маски остается пленка поликремния, образуя так называемые «спейсеры». При этом край маски перемещается на толщину пленки поликремния, которая может хорошо контролироваться. При проведении второй имплантации примеси формируется легированная об­ласть полупроводника, самосовмещенная с первой, край ко­торой расположен от края ранее сформированной на расстоя­нии, равном толщине пленки поликремния.

«Спейсеры» можно формировать также и путем боково­го окисления поликремниевого островка при маскирова­нии верхней плоскости островка пленкой нитрида кремния. В этом случае перемещение края маски будет определяться половиной толщины выросшего окисла кремния.

В технологии ИС используется много различных методов самосовмещения. В частности, они могут быть на основе кон­центрационной зависимости травления или окисления крем­ния (поликремния), связаны с особенностями формирования силицидов тугоплавких металлов на поверхности кремния или использовать иные физико-технологические эффекты.

Билет № 43 Формирование КМОПСБИС. Выбор типа проводимости кармана.

Маршрут изготовления КМОП ИС

Для формирования КМОП ИС необходимо интегрировать на одной подложке кремния p-канальные и n-канальные при­боры. С этой целью в кремниевой пластине создаются так называемые карманы, противоположного по отношению к подложке типа проводимости. Затем, используя базовый маршрут формирования МОП-транзистора, приведенный выше, формируют в кармане и в подложке приборы с противо­положными по проводимости типами каналов, но с идентич­ными электрическими параметрами (за исключением знака полярности порогового напряжения). Таким образом, число технологических операций при создании КМОП ИС увеличи­вается практически вдвое. КМОП-структуры могут содержать карман р-типа, карман n-типа или два кармана: p- и n-типа(рис. 3.11).

Исторически первые КМОП ИС были с карманом р-типа. Это было обусловлено тем, что с целью уменьшения площади ИС необходимо было уменьшить площадь кармана, а следова­тельно, в нем должен быть расположен транзистор меньшего размера, а именно n-канальный прибор, имеющий большую подвижность носителей в канале, чем р-канальный.

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply