этом способе используется поликристаллический крем­ний, имеющий слоистую структуру

Опыт разработки технологии изготовления биполярных схем позволяет выделить ряд типовых приемов самосовмещения от­дельных областей биполярных интегральных структур, умень­шающих влияние литографии на технологический процесс. Некоторые из рассмотренных методов самосовмещения затем с успехом были использованы и при изготовлении МОП ИС.

Самосовмещение методом «полного эмиттера»

Этот метод самосовмещения был разработан для формиро­вания самосовмещенного контактного окна к эмиттерной об­ласти максимального размера с целью снижения сопротивле­ния контакта — то есть формирования «полного эмиттера».

С этой целью после диффузии донорной примеси в окно, определяющее эмиттерную область, проводят открытым трав­лением удаление окисла кремния, выросшего в процессе раз­гонки примеси, и таким образом формируют контактное окно максимально возможного размера, самосовмещенное с эмит­терной областью. В дальнейшем по необходимости данный ме­тод стал применяться для точного вскрытия контактных окон к диффузионным областям транзистора, при этом использует­ся окно в окисле, ранее сформированное для создания локаль­ной диффузионной области. Так как при диффузии примесь распространяется в сторону под маску, то край диффузионной области оказывается под окислом, что обеспечивает отсутствие контакта подложки или области базы с металлом.

Самосовмещение с помощью «твердой маски»

«Твердая маска» из пленки нитрида кремния или толстых слоев окисла кремния позволяет заранее фиксировать (совме­щать) основные области транзистора — в ней одновременно вскрываются соответствующие окна. Затем с помощью не­критичной операции литографии поочередно вскрытые окна маскируются, например фоторезистом, и проводятся необхо­димые операции формирования областей транзистора.

В качестве твердой маски наиболее часто используется пленка нитрида кремния, так как она маскирует от окисле­ния кремния и диффузии примесей и не подвергается дей­ствию травителей для окисла кремния и кремния.

Самосовмещение с помощью маски со стенками с отрицательным углом наклона

В этом способе используется поликристаллический крем­ний, имеющий слоистую структуру: нижние слои травятся с большей скоростью, чем верхние. В результате локальной химической обработки на поверхности пластины формиру­ется маска, у которой стенки имеют отрицательный угол на­клона. Такие наклонные стенки создают «тень» при ионной имплантации и позволяют формировать легированные обла­сти на точно заданном расстоянии от основания маски, кото­рое определяет расположение другой легированной области, сформированной диффузией примесей из газовой фазы.

Самосовмещение с помощью диффузии из легированного поликремния

Поликремниевая маска может быть использована в качестве внешнего источника диффузии. В этом случае маска формиру­ется из поликремния, легированного, например, мышьяком, затем проводится термообработка, и из поликремния мышьяк диффундирует в кремний: создается n+-область, определяе­мая конфигурацией основания маски. Поликремниевая ма­ска может быть использована в качестве объемного контакта к сформированной области, который самосовмещен с ней. При использовании этого метода самосовмещаются диффузионная область, контактное окно к ней и объемный контакт.

Самосовмещение с помощью латерального подтравливания пленок

Маску с нависающими краями стенок можно сформировать и с помощью латерального (бокового) подтравливания, на­пример, пленки поликремния, защищенной сверху нитридом кремния. Так как скорость травления нитрида мала, то можно с большой точностью по геометрическим размерам сформиро­вать Т-образную маску. «Теневой

You can leave a response, or trackback from your own site.

Leave a Reply